基本信息:
杨展悌，研究员，博士
电子工程专业
30多年半导体行业工作经验
个人教育与工作简历：
1985.06 台湾中原大学电机学士
1987.12 美国密苏里大学电机硕士
1992.12 美国宾州州立大学电机博士
1993.02-1996.02 台达电子有限公司 设计工程师
1996.02-2002.02 杰霖科技有限公司 主工程师
2002.02-2007.07 新茂科技有限公司 研发部经理
2007.07-2011.05 智原科技有限公司 市场部副部长
2011.05-2016.06 灿芯半导体（上海）有限公司 副总裁
2016.06-2020.10 上海华力微电子 市场部部长
2020.10-至今 广州澳芯集成电路 设计服务部副处长
研究方向：
集成电路设计
芯片设计服务
半导体制造
代表性论文：
杨展悌，等，“基于先进FDSOI SRAM的存内计算架构实现快速与低功耗的CNN处理”，微纳电子与智能制造，2021年3月，第3卷，第1期
专著：
杨展悌，等，“高速区域计算机网络”, 1997,全华科技图书.
专利：
发表FDSOI电路、量子点计算等相关专利10篇以上，举例如下
1.一种在全耗尽绝缘体上硅工艺上，实现浮栅NOR 闪存比特单元的方法
2.一种在全耗尽绝缘体上硅工艺上，以NOR 闪存比特单元建构存内计算阵列的方法
3.一种NOR 闪存比特单元建构存内计算阵列的方法
4.一种在全耗尽绝缘体上硅工艺上，以静态随机存储器比特单元建构存内计算阵列的方法
